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摘要

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构
Abstract
The behavior of interface formed by growing this Sm film on the Ｓｉ（１００）２×１ substrate at room temperature has been investigated by cove level and valence band photoemission using synchrotron radiation. The experimental results show the existence of distinct stages corresponding to chemisorption and agglomeration of Sm atoms（coverage Θ＜０.５ＭＬ）,reactive interdiffusion （０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）, and growth of metallic Sm. Compared to Ｓｉ（１１１）７×７ the reactivity of Sm on the Ｓｉ（１００）２×１ substrate is enhanced and a greater tendency for interdiffusion of Sm and Si is observed. Also we have discussed the interface formation and the interface profile carefully.
作者及机构信息
徐世红²,

陆尔东¹,

余小江¹,

潘海斌¹,

张发培¹,

徐彭寿¹

基金项目:国家自然科学基金及中国科学技术大学青年科学基金资助的课题.
Authors and contacts
XU SHI-HONG²,

LU ER-DONG¹,

YU XIAO-JIANG¹,

PAN HAI-BIN¹,

ZHANG FA-PEI¹,

XU PENG-SHOU¹
参考文献

施引文献

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