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摘要
结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的13μm量子点VCSEL结构.

关键词:
量子点/

垂直腔面发射激光器/

增益
Abstract
A theoretical study on 13μm GaAs-based quantum dot vertical-cavity surface- emitting lasers (VCSELs) was made. Investigation of the influence of VCSELs on t he optical confinement factors and the optical loss and the calculation of the m aterial gain of the assembled InGaAs/GaAs quantum dots. Analysis of the threshol d characteristic was made and the multi-wavelength cavity and multilayer quantum_dot stack structure is found to be more suitable for quantum dot VCSELs.

Keywords:
quantum dots, vertical-cavity surface-emitting laser, gain/

/
作者及机构信息
佟存柱,

牛智川,

韩勤,

吴荣汉

1.

基金项目:国家重点基础研究发展规划（批准号：TG2000036603）、国家自然科学基金（批准号：60137020）和国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA312080）资助的课题.
Authors and contacts
Tong Cun-Zhu,

Niu Zhi-Chuan,

Han Qin,

Wu Rong-Han

1.
参考文献

施引文献

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