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研究了高In组分InxGa1-xN/GaN（x≈30%）多量子阱（MQWs）结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光（EL）谱及反常的双峰现象.结果表明：有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽，这一效应在高In组分InxGa1 -xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.

关键词:
InxGa1-xN/GaN多量子阱/

电致荧光谱/

内建电场
Abstract
In this work, the abnormal double-peak in the electroluminescence spectra of In xGa1-xN/GaN multiple quantum wells (MQWs) light emitting d iode s tructure materials with high indium contents was studied under different injecti on currents. The results show that the screening of internal electric field by i njection current plays an important role in the radiation recombination process of InxGa1-xN/GaN-MQWs materials.

Keywords:
InxGa1-xN/GaN-MQWs, electroluminescence spectra, internal field/

/
作者及机构信息
邵嘉平,

胡卉,

郭文平,

汪莱,

罗毅,

孙长征,

郝智彪

1.

基金项目:国家重点基础研究发展规划（批准号: TG2000036601）、国家高技术研究发展计划（批准号: 2001AA312190，2002AA31119Z）和国家自然科学基金（批准号: 60244001）资助的课题
Authors and contacts
Shao Jia-Ping,

Hu Hui,

Guo Wen-Ping,

Wang Lai,

Luo Yi,

Sun Chang-Zheng,

Hao Zhi-Biao

1.
参考文献

施引文献

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