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摘要
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.

关键词:
MOCVD/

InGaAs/InGaAsP/

应变量子阱/

分布反馈激光器
Abstract
1.6—1.7μm highly strained InGaAs/InGaAsP distributed feedback lasers was grown and fabricated by low pressure mentalorganic chemical vapor deposition. High quality highly strained InGaAs/InP materials were obtained by using strain buffer layer. Four pairs of highly strained quantum wells were used in the devices and carrier blocking layer was used to improve the temperature characteristics of the devices. The uncoated 1.66μm and 1.74μm lasers with ridge wave guide 3μm wide have low threshold current (14mW at 100mA). In the temperature range from 10℃ to 40℃, the characteristic temperature T0 of the 1.74μm laser is 57K, which is comparable to that of the 1.55μm-wavelength InGaAsP/InP-DFB laser.

Keywords:
MOCVD/

InGaAs/InGaAsP/

strained quantum well/

distributed feedback laser
作者及机构信息
潘教青,

赵谦,

朱洪亮,

赵玲娟,

丁颖,

王宝军,

周帆,

王鲁峰,

王圩

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：60176023)资助的课题.
Authors and contacts
Pan Jiao-Qing,

Zhao Qian,

Zhu Hong-Liang,

Zhao Ling-Juan,

Ding Ying,

Wang Bao-Jun,

Zhou Fan,

Wang Lu-Feng,

Wang Wei

1.
参考文献

施引文献

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