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通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961 nm，半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光，但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2晶体的近红外发光, 发光峰位于1135 nm，半高宽192 nm.讨论了Bi2O3和BiF3掺杂BaF2晶体的红外发光的机理.

关键词:

Abstract

Bi2O3:BaF2 and BiF3:BaF2 crystals were prepared by TGT (temperature gradient method). Near-infrared broadband luminescence was observed in as-grown Bi2O3:BaF2 crystal. The emission band peaks at 961 nm in the range of 850—1250 nm，with FWHM about 202 nm. The luminescence of Bi2+ and Bi3+ ions in the visible region was observed in BiF3:BaF2 crystal, but there was no near-infrared emission. Then the BiF3: BaF2 crystal was exposed to γ-rays in order to reduce valence states of Bi ions. Near-infrared broadband luminescence was observed in γ-irradiated BiF3:BaF2 crystal. The emission band peaks at 1135 nm in the range of 850—1500 nm，with FWHM about 192 nm. The mechanisms of near-infrared luminescence in Bi2O3:BaF2 crystals and γ-irradiated BiF3:BaF2 crystals were discussed.

Keywords:

作者及机构信息

基金项目:国家自然科学基金（批准号：60778036）和上海市科技委员会自然科学基金（批准号：08ZR1421700）资助的课题.

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