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摘要

双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B) 异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切, 本文基于热场发射-扩散模型, 对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析. 结论表明: 与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错II型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比, E-B异质结采用传统I型、B-C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高, 但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.

关键词:

Abstract

The characteristics of a double heterojunction bipolar transistor(DHBT) depend closely on the type of band alignment structure at the hetero-interface between emitter-base(E-B) heterojunction and base-collector(B-C) heterojunction. Based on thermionic-field-diffusion model, the comparisons are made of the DC and the RF characteristics between two novel HBTs, that is, InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT, of which the former has a type-I E-B junction and a type-II B-C junction and the later has a type-II E-B junction and a type-II B-C junction. The simulation results show that DHBT with a type-I E-B junction and a type-II B-C junction has much better current driving capability, DC gain and RF performance, although it has a slightly high turn-on voltage.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.
3.

基金项目:信息功能材料国家重点实验室2009开放基金项目(批准号: FMI2009-08), 湖南省教育厅项目(批准号: 09C959)和湖南省科技厅项目(批准号: 2010TY2003)资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.
3.

Funds:Project supported by the Open Fund of State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences (Grant No. FMI2009-08), the Hunan Province Education Department (Grant No. 09C959), and the Hunan Provincial Science and Technology Department (Grant No. 2010TY2003).

参考文献

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施引文献

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