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摘要

基于器件仿真器Atlas, 建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型, 分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系. 设计出同时具有高响应度(≥17.93 A/W)和高特征频率(≥121.68 GHz)的UTC-DHPT, 缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾.

关键词:

An InP/InGaAsP uni-traveling-carrier double heterojunction phototransistor (UTC-DHPT) photodetector is simulated and analyzed in a two-dimensional (2D) model utilizing a numerical device simulator (Atlas). The effects of device structure parameters on operational performance, such as responsivity and characteristic frequency, are studied in detail. Simulation results indicate that the UTC-DHPT can ease the contradiction between detection efficiency and working speed, which exists in traditional heterojun-ction phototransistor and achieve both high responsivity (≥17.93 A/W) and high characteristic frequency (≥121.68 GHz) simultaneously.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 61006044, 60776051, 61006059, 61274071, 61090392)、国家高技术研究发展计划(批准号: 2013AA014502, 2011AA010303)、北京市自然科学基金(批准号: 4122014, 4082007)和北京市教委科技发展计划(批准号: KM200910005001, KM200710005015)资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61006044, 60776051, 61006059, 61274071, 61090392), the National High Technology Research and Development Program of China (Grant Nos. 2013AA014502, 2011AA010303), the Beijing Municipal Natural Science Foundation, China (Grant Nos. 4122014, 4082007), and the Beijing Municipal Education Committee, China (Grant Nos. KM200910005001, KM20070005015).

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施引文献

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