本文讨论了两块超导体中间夹以具有势阱区的结所组成的系统(简称势阱结)。用Гинзбург-Ландау(简称Г-Л)方程描述超导区而用宏观薛定谔方程描述结区,导出了这种结的特有规律:证明了在小电流近似下,势阱结也有Josephson效应;更重要的是指出了调节势阱深度以使结区边界处电子对密度的微商接近于零((dρ)/(dx)～0),这时会出现一种特有的共振效应。接近共振时,电流一相位之间不再遵循Josephson的正弦关系,而且流过结的最大电流甚至可达完整(无结)超导体的临界电流值。文中着重讨论了更为实际的SONOS型(和SOSOS型)的势阱结。与Josephson结的弱耦合不同,这里虽然氧化物绝缘层(O)的存在形成了两个势垒区,但由于中间势阱区的存在,适当调节阱深[即调节中间正常金属(N)或超导体(S)上的偏置正电位]时,总可使宏观波函数ψ在势垒区中不是衰减,甚至可以上升,因此在共振点邻近,这种结可以实现强耦合。共振时的最大电流,原则上也可达无结超导体的临界电流值。同时,还讨论了这种结在实际应用上的意义。