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我们用角分辨光电子谱(ARUPS)研究了。在对称点Γ(K11=0),发现此态的能级在EF以下0.5—0.6eV处。同时还测得该态的色散(<0.3eV)比正常的Si(001)表面态的色散(0.6—0.7eV)来得小。
Abstract
Angle-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy has been used to investigate the step-related electronic states on the vicinal surfaces of Si(00l). Such states have been found at 0.5-0.6 eV below EF at Γ point (K = 0) for vicinal surfaces with steps along 〈100〉 or 〈110〉. The dispersion of these states is smaller than that of the (001) surface states.
作者及机构信息
陈晓华²,

徐亚伯²,

W. RANKE¹,

李海洋²,

季振国³

基金项目:中国科学院科学基金
Authors and contacts
CHEN XIAO-HUA²,

XU YA-BO²,

W. RANKE¹,

LI HAI-YANG²,

JI ZHEN-GUO³
参考文献

施引文献

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