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摘要

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
Abstract
In this paper, we report the results of the growth of a series of ZnSe films on (100) GaAs at different substrate temperatures by hot wall epitaxy. The quality of ZnSe films has been studied by X-ray diffraction, Raman scattering and photoluminescence. The results show that: 1) We have got (100)-oriented single crystal fillms, but the quality becomes worse when lowering the substrate temperature. When the substrate temperature is below 300℃ there appears the (111)-oriented twins in the (100ZnSe. 2) When the substrate temperature is 350℃, Ga atom diffusion from the substrate to the ZnSe epitaxial layer is serious.
作者及机构信息
吕宏强³,

王杰³,

沈军³,

刘咏³,

王迅³,

王昌平²,

王建宝²,

李晨²,

沈孝良¹
Authors and contacts
Lü HONG-QIANG³,

WANG JIE³,

SHEN JUN³,

LIU YONG³,

WANG XUN³,

WANG CHANG-PING²,

WANG JIAN-BAO²,

LI CHEN²,

SHEN XIAO-LIANG¹
参考文献

施引文献

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