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应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ０．４
Abstract
The deep levels of Ga０．４７Ｉｎ０．５３As/InP lasers with broad, proton-bombarded stripe contacts and SQW (Single Quantum Well) grown by LP一MOVPE have been studied using DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) technique. DLTS Spectra of samples show that hole traps H1(Eｖ+0.09eV) and H2(Eｖ+O.11eV) and electron traps El (Eｖ-0.35eV) and E2 (Eｖ-0.42eV) present in Ga０．４７Ｉｎ０．５３As layer of lasers with broad and proton-bombarded stripe contacts, respectively. These traps may be related to Zn introduction in Ga０．４７Ｉｎ０．５３ As layer, native defect and interactions between H1 and damage induced by proton-bombardment, respectively. They may spatially localize in Ga０．４７Ｉｎ０．５３As layer and interface regions of discontinous variation In mole fraction of Ga1-xInx As layer with XIn=0.53.
作者及机构信息
卢励吾¹,

周洁¹,

封松林¹,

段树坤²
Authors and contacts
LU LI-WU¹,

ZHOU JIE¹,

FENG SONG-LIN¹,

DUAN SHU-KUN²
参考文献

施引文献

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