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摘要
通过研究应力前后GaAs PHEMT器件电特性的测量，分析了GaAs PHEMT退化的原因，从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合，可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系，由此可以对GaAs PHE MT器件的电性能和可靠性进行改善和评估.进一步改进GaAs PHEMT的击穿电压，将需要严格控制沟道中的碰撞电离.

关键词:
高电子迁移率晶体管/

碰撞电离率/

可靠性评估
Abstract
This paper analyzes the degradation in GaAs pseudomorphic high electron mobitity transistors (PHEMT's) by measuring the electric characteristics in GaAs PHEMT's before and after stress. The relation between impact ionization rate and maximu m channel electric field is gained. An analytical expression of impact ionizatio n rate versus maximum channel electric field is deduced by fitting the experimen tal results. The electric characteristic and reliability in GaAs PHEMT's can be improved and evaluated using the analytical expression. The impact ionization in channel should be decreased in order to improve the breakdown voltage in GaAs P HEMT's.

Keywords:
high electron mobility transistor/

impact ionization rate/

evaluation of reliability
作者及机构信息
刘红侠¹,

郑雪峰¹,

韩晓亮¹,

郝跃¹,

张绵²

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 60206006)和国防预研基金(批准号: 00J8.4.3DZ01)资助的课题.
Authors and contacts
Liu Hong-Xia¹,

Zheng Xue-Feng¹,

Han Xiao-Liang¹,

Hao Yue¹,

Z hang Mian²
参考文献

施引文献

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