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摘要
以SiH4，Ar和H2为反应气体，采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现，反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素，在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高，氢含量低，生长速率快、抗杂质污染等特性.

关键词:
低温多晶Si薄膜/

等离子体CVD/

Ar稀释SiH4/

H2比例
Abstract
Low-temperature polycrystalline Si films were fabricated by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiH4, Ar and H2 as source gas. It was found that the content of H2 in the mixture plays an important role for crystallization of Si films. High-quality low-temperature polycrystalline Si films were obtained under the optimal amount of H2 in the source gas.

Keywords:
low-temperature polycrystalline Si film/

PECVD/

Ar-diluted SiH4/

H2 flow
作者及机构信息
祁菁,

金晶,

胡海龙,

高平奇,

袁保和,

贺德衍

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：10175030)和高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.
Authors and contacts
Qi Jing,

Jin Jing,

Hu Hai-Long,

Gao Ping-Qi,

Yuan Bao-He,

He De-Yan

1.
参考文献

施引文献

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