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摘要
采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法，研究了单晶硅在1100 ℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O，H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后，研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素

关键词:
同位素示踪/

H218O/

替位扩散/

硅
Abstract
A new method was proposed to investigate the transport mechanism of silicon oxidation at 1100 ℃ using H216O/H218O isotopic labeling. The formation and structure of silicon oxide film was analysed. The distribution of 16O and 18O in the oxide film was analysed by means of secondary ion mass spectroscopy (SIMS). The results demonstrate that the oxide film is non-crystalline during the oxidation of silicon in the water vapor and the transport mechanism is substitutional diffusion mechanism.

Keywords:
isotopic labeling/

H218O/

substitutional mechanism/

silicon
作者及机构信息
龚佳,

蒋益明,

钟澄,

邓博,

刘平,

李劲

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号:10621063，50571027，50701010)、国家科技基础条件平台建设项目(批准号:2005DKA10400-Z13)和上海市重点学科项目(批准号:B113)资助的课题.
Authors and contacts
Gong Jia,

Jiang Yi-Ming,

Zhong Cheng,

Deng Bo,

Liu Ping,

Li Jin

1.
参考文献

施引文献

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