- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN 高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

关键词:

This paper expresses the experiential relationship between Fermi level and the density of two-dimensional electron gas, based on the capacitance voltage (C-V) characteristics of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate. The expression provides important references for establishing the device charge control model and simpliying the transconductance and capacitance. Parameter α is introduced for describing the ability for the two-dimensional potential well to restrict electrons, and we believe that the smaller the value of α, the stronger the restricting ability is. A coherent fitting effect, compared with the measurement, is obtained by making use of the experiential relationship said above.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327500),国家自然科学基金(批准号:60976059,60890191)资助的课题.

Authors and contacts

1.

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]

[1]	王帅, 葛晨, 徐祖银, 成爱强, 陈敦军.微波GaN器件温度效应建模研究. 必威体育下载 , 2024, 0(0): .doi:10.7498/aps.73.20240765
[2]	周书星, 方仁风, 魏彦锋, 陈传亮, 曹文彧, 张欣, 艾立鹍, 李豫东, 郭旗.InP HEMT外延结构材料抗电子辐照加固设计研究. 必威体育下载 , 2021, (): .doi:10.7498/aps.70.20211265
[3]	刘乃漳, 张雪冰, 姚若河.AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 必威体育下载 , 2020, 69(7): 077302.doi:10.7498/aps.69.20191931
[4]	宋冬灵, 明亮, 单昊, 廖天河.超强磁场下电子朗道能级稳定性及对电子费米能的影响. 必威体育下载 , 2016, 65(2): 027102.doi:10.7498/aps.65.027102
[5]	朱彦旭, 曹伟伟, 徐晨, 邓叶, 邹德恕.GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(11): 117302.doi:10.7498/aps.63.117302
[6]	段宝兴, 杨银堂, 陈敬.F离子注入新型Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT 器件耐压分析. 必威体育下载 , 2012, 61(22): 227302.doi:10.7498/aps.61.227302
[7]	王鑫华, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇.GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究. 必威体育下载 , 2011, 60(9): 097101.doi:10.7498/aps.60.097101
[8]	郝立超, 段俊丽.表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究. 必威体育下载 , 2010, 59(4): 2746-2752.doi:10.7498/aps.59.2746
[9]	刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃.Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究. 必威体育下载 , 2009, 58(1): 536-540.doi:10.7498/aps.58.536
[10]	刘红, 印海建, 夏树宁.形变碳纳米管场效应晶体管的电学性质. 必威体育下载 , 2009, 58(12): 8489-8500.doi:10.7498/aps.58.8489
[11]	郭亮良, 冯倩, 郝跃, 杨燕.高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析. 必威体育下载 , 2007, 56(5): 2895-2899.doi:10.7498/aps.56.2895
[12]	范隆, 郝跃.辐射感生应力弛豫对AlmGa1－mN/GaN HEMT电学特性的影响. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3393-3399.doi:10.7498/aps.56.3393
[13]	杨学文, 郑家贵, 张静全, 冯良桓, 蔡伟, 蔡亚平, 李卫, 黎兵, 雷智, 武莉莉.CdTe/CdS太阳电池I-V，C-V特性研究. 必威体育下载 , 2006, 55(5): 2504-2507.doi:10.7498/aps.55.2504
[14]	李东临, 曾一平.InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3677-3682.doi:10.7498/aps.55.3677
[15]	汤晓燕, 张义门, 张鹤鸣, 张玉明, 戴显英, 胡辉勇.碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试. 必威体育下载 , 2004, 53(9): 3225-3228.doi:10.7498/aps.53.3225
[16]	王华.Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究. 必威体育下载 , 2004, 53(4): 1265-1270.doi:10.7498/aps.53.1265
[17]	仇志军, 蒋春萍, 桂永胜, 疏小舟, 郭少令, 褚君浩, 崔利杰, 曾一平, 朱战平, 王保强.变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究. 必威体育下载 , 2003, 52(11): 2879-2882.doi:10.7498/aps.52.2879
[18]	李书平, 王仁智.Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法. 必威体育下载 , 2003, 52(3): 542-546.doi:10.7498/aps.52.542
[19]	王仁智, 郑永梅, 李书平.平均键能Em的物理内涵探讨. 必威体育下载 , 2001, 50(2): 273-277.doi:10.7498/aps.50.273
[20]	王少伟, 陆卫, 王弘, 王栋, 王民, 沈学础.Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究. 必威体育下载 , 2001, 50(12): 2461-2465.doi:10.7498/aps.50.2461

计量

文章访问数:8674
PDF下载量:848
被引次数:0

搜索

留言板

The experiential fit of the capacitance-voltage characteristicsof the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

The experiential fit of the capacitance-voltage characteristicsof the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们