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通过测量GeSi多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态HH1到重空穴激发态HH1、轻空穴激发态LH1和自旋分裂带SO及连续态间的跃迁吸收．测量了GeSi多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂，是正入射吸收产生的原因
Abstract
A theoretical and experimental study of intersubband absorption in p-type GexSi1-x/Si multiple quantum wells are presented,the calculations are performed with envelop-function approach,with full inclusion of the degeneracy and warping of the three topmost bulk valence bands described by the strain-dependent Luttinger-Kohn Hamiltonian.The Hartree potential and the exchange correlation interaction are taken into account in a self-consistent manner.And finally the absorption spectra is calculated.We contribute some absoptions observed with normal incident unpolarized infra-beam to the band-mixing of heavy,light and split-off bands in GexSi1-x/Si quantum wells.
作者及机构信息
俞敏峰²,

杨宇⁴,

沈文忠³,

朱海军¹,

龚大卫¹,

盛篪¹,

王迅¹

基金项目:国家自然科学基金资助的课题.
Authors and contacts
YU MIN-FENG²,

YANG YU⁴,

SHEN WEN-ZHONG³,

ZHU HAI-JUN¹,

GONG DA-WEI¹,

SHENG CHI¹,

WANG XUN¹
参考文献

施引文献

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[19]	周国良, 沈孝良, 盛篪, 蒋维栋, 俞鸣人.GexSi1-x/Si超晶格的X射线小角衍射分析. 必威体育下载 , 1991, 40(1): 56-63.doi:10.7498/aps.40.56
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